半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合（对应低禁带宽度直接复合起主要作用）,那么对应少子寿命应该随禁带宽度的

来源：学生作业帮助网编辑：作业帮时间：2024/05/11 03:27:12

半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合（对应低禁带宽度直接复合起主要作用）,那么对应少子寿命应该随禁带宽度的
半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?
刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合（对应低禁带宽度直接复合起主要作用）,那么对应少子寿命应该随禁带宽度的变小而降低才是
事实上是禁带宽度gegaas
并且差别还非常大
不要拿存在间接复合来应付!

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这里要区分清楚两个问题：一是能带结构（直接带隙或者间接带隙）,二是复合机理（直接复合或者间接复合）.
GaAs是直接带隙半导体,复合机理主要是直接复合,则少数载流子寿命很短.直接复合的几率与禁带宽度有关,则禁带宽度越小的半导体,少数载流子寿命就越短.
Si和Ge是间接带隙半导体,主要是依靠复合中心的间接复合机理,则寿命决定于复合中心的浓度和性质,与禁带宽度基本上无关.一般,间接复合的寿命都较长.所以,Si和Ge的载流子寿命比GaAs的长,虽然GaAs的禁带宽度较大.

半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合（对应低禁带宽度直接复合起主要作用）,那么对应少子寿命应该随禁带宽度的半导体中由农度差引起的非平衡载流子运动形成什么电流半导体载流子的扩散? N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么? 半导体中载流子的2种运动半导体热平衡和非热平衡的区别? 半导体稳定扩散和平衡态有什么区别稳定不变的光照下,半导体中电子和空穴浓度保持不变,为什么还说半导体处于非平衡状态呢?此时产生率与复合率相等吗? 半导体中,什么是非平衡载流子? 半导体中的多数载流子是由（）产生的；少数载流子是由（）产生的. 半导体中存在着两类载流子,其中带正电的载正电的载流子称为什么? N型半导体的多数载流子为什么啊? 半导体的少数载流子浓度有什么决定为什么说半导体中载流子的浓度不变呢? 怎样根据霍尔效应判断半导体中载流子的种类为什么半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小为什么半导体中的少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的 led书所说的led发光原理是因为半导体芯片两端加争相电流且半导体载流子会发生复合, 但是不知道是什么意思,我所要知道的是,半导体载流子是什么东西? 为什么会发生复合? 那位大大能教教